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场效应管的参数

场效应管的参数很多 NXP模块，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

(1)、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅较电压U GS=0时的漏源电流。

(2)、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 NXP品牌，使漏源间刚截止时的栅较电压。

(3)、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅较电压。

(4)、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏较电流I D的控制能力，即漏较电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

(5)、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的较大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

(6)、P* — 较大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。使用时 NXP型号，场效应管实际功耗应小于P*并留有一定余量。

(7)、I* — 较大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的较大电流。场效应管的工作电流不应**过I*。

                                                  LM258P

 IC的定义

 IC就是半导体元件产品的统称。包括：1.集成电路板(integratedcircuit，缩写：IC)； 2.二、三极管；3.特殊电子元件。

 再广义些讲还涉及所有的电子元件，象电阻，电容，电路版/PCB版，等许多相关产品。

泛指所有的电子元器件 集成电路又称为IC，是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。它是电子设备中较重要的部分，承担着运算和存储的功能。集成电路的应用范围覆盖了**、民用的几乎所有的电子设备。