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     集成电路及其引线应远离脉冲高压源

　　设置集成电路位置时应尽量远离脉冲高压、高频等装置。连接集成电路的引线及相关导线要尽量短，在不可避免的长线上要加入过压保护电路， 尤其是汽车用收录机的安装更要注意。CMOS电路接线时，外围元件应尽量靠近所连管脚，引线力求短捷，避免使用平行的长引线，否则易引人较大的分布电容和分布电感 74HCT14D，*形成LC振荡。解决的办法是在输人端串人10KΩ电阻。

      CMOS用于高速电路时，要注意电路结构和印制板的设计。输出引线过长，*产生“振铃”现象．引起波形失真。

      由于ECL属于高速数字集成电路，因此必须考虑信号线上存在的“反射”以及相邻信号线之间的“串扰”等特殊问题，必要时应采用传输线（例如同轴电缆），并保证传输线的阻抗匹配。此外，还需采用一定的屏蔽、隔离措施。当工作频率**过200Mz时，宜选用多层线路板，以减少地线阻抗。

                                                                MC33035DW2G

      晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结 74HCT14D供应，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时 74HCT14D厂家，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时 74HCT14D批发，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。